Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: http://elar.nung.edu.ua/handle/123456789/6753
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorГалущак, М. О.-
dc.contributor.authorФреїк, Д. М.-
dc.contributor.authorБорик, В. В.-
dc.contributor.authorТкачук, А. І.-
dc.contributor.authorКарпаш, М. О.-
dc.date.accessioned2018-12-19T10:13:08Z-
dc.date.available2018-12-19T10:13:08Z-
dc.date.issued2011-
dc.identifier.citationПат. 60221 U Україна, МПК B82B 3/00. Спосіб отримання термоелектричних наноструктур PBS / Галущак М. О., Фреїк Д. М., Борик В. В., Ткачук А. І., Карпаш М. О. ; заявник і патентовласник Івано-Франків. нац. техн. ун-т нафти і газу. - № u 201014821 ; заявлено 10.12.2010 ; опубл. 10.06.2011, Бюл. № 11. – 2 с. : іл.uk_UA
dc.identifier.urihttp://elar.nung.edu.ua/handle/123456789/6753-
dc.description.abstractСпосіб отримання термоелектричних наноструктур PbS, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки PbS при температурі випаровування наважки Tв , осаджують на підкладку із свіжих сколів (001) кристалів КСl при температурі Тп , який відрізняється тим, що температура випарника складає Tв  (97010) , температура підкладки - Тп  (540 5)К , а товщина отриманих наноструктур - (18-22) нм.uk_UA
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherДержавна служба інтелектуальної власності Україниuk_UA
dc.titleСпосіб отримання термоелектричних наноструктур PBSuk_UA
dc.typePatentuk_UA
Appears in Collections:Патенти на корисну модель

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
60221.pdf172.48 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record   Google Scholar


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.